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| 离子束增强沉积技术 | |
| 引用本文： | 席仕伟,何锦涛. 离子束增强沉积技术[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 458-461 |
| 作者姓名： | 席仕伟 何锦涛 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
| 摘 要： | 采用离子束增强沉积（IBED）铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构，比采用电子束蒸镀钛－铜多层膜结构工艺简单，且不增加光刻腐蚀工艺难度，铜膜沉积于低表面粗糙度（Ry≤0．1μm）的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜－基附着力。实验证明：IBED铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合的制膜方法是目前几种制造器件的工艺方法中最佳制膜工艺方法。 |
| 关 键 词： | 离子束增强沉积技术 铜膜 离子源 镀膜工艺 氧化铝陶瓷基片 界面附着力 结构 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0458-04 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
Ion Beam Enhanced Deposit Technology |
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