| 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法 |
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| 引用本文： | 刘向华, 仲顺安, 曲秀杰. 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 19-22. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006 |
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| 作者姓名： | 刘向华 仲顺安 曲秀杰 |
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| 作者单位： | 北京理工大学电子工程系, |
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| 摘 要： | 给出了一种简单而有效的碲镉汞(MCT)离子注入工艺模型，研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法，最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 离子注入 模型 模拟 |
| 文章编号： | 1001-8891(2001)01-0019-04 |
| 修稿时间： | 2000-06-06 |
An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method |
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| LIU Xiang-hua, ZHONG Shun-an, QU Xiu-jie. An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 19-22. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006 |
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| Authors: | LIU Xiang-hua ZHONG Shun-an QU Xiu-jie |
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| Abstract: | This paper presented a simply but effective ion implantation modeling for simulating junction formation of MCT, researched digital computer simulation method of this model, and discussed how to define some important parameters. |
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| Keywords: | HgCdTe ion implantation modeling simulation |
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