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| VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜 | |
| 引用本文： | 杨恢东,吴春亚,黄君凯,麦耀华,张晓丹,薛俊明,任慧志,赵颖,耿新华,熊绍珍.VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜[J].太阳能学报,2004,25(2):127-132. |
| 作者姓名： | 杨恢东 吴春亚 黄君凯 麦耀华 张晓丹 薛俊明 任慧志 赵颖 耿新华 熊绍珍 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电所,天津,300071;暨南大学电子工程系,广州,510632 2. 南开大学光电所,天津,300071 3. 暨南大学电子工程系,广州,510632 |
| 基金项目： | 国家重点基础发展规划项目"973"资助(G20000282 2,G20000282 3) |
| 摘 要： | 采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH和H的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si：H薄膜的结构特征与表面形貌。基于当前的沉积系统,对μc—Si：H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc—Si：H薄膜的沉积速率提高到2．0nm／s。 |
| 关 键 词： | 光发射谱 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体化学气相沉积 高速沉积 |
| 文章编号： | 0254-0096(2004)02-0127-06 |
HIGH GROWTH-RATE DEPOSITION OF HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM WITH VHF-PECVD |
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| Yang Huidong.HIGH GROWTH-RATE DEPOSITION OF HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM WITH VHF-PECVD[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2004,25(2):127-132. | |
| Authors: | Yang Huidong |
| Affiliation: | Yang Huidong~ |
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| Keywords: | |
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