| 耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管 |
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| 作者姓名： | 倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.
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| 关 键 词： | 4H碳化硅 结势垒肖特基二极管 快恢复二极管 |
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