氧气闭环控制系统辅助反应磁控溅射沉积γ-Al_2O_3薄膜

采用双极脉冲反应磁控溅射方法在衬底温度300℃的条件下制备了结晶态γ相Al2O3薄膜。借用speedflo闭环控制系统,整个沉积过程持续稳定进行且沉积速率高达16 nm/min。XRD结果揭示,不同工作点下制备的薄膜均为单一相的γ-Al2O3。薄膜的硬度值受靶表面沉积状态影响很大,在反应模式状态下沉积的薄膜具有良好的硬度,而在靶表面中毒状态下沉积的薄膜硬度值很低。本文对硬度的变化原因做了详细的探讨。