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| 注砷硅单晶的电子束退火 | |
| 引用本文： | 卢殿通,张通和,王大椿,王兴民,苏颖,王琦,陶仁敦,周楚材,刘日喜.注砷硅单晶的电子束退火[J].微细加工技术,1983(2). |
| 作者姓名： | 卢殿通 张通和 王大椿 王兴民 苏颖 王琦 陶仁敦 周楚材 刘日喜 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所 (卢殿通，张通和，王大椿，王兴民，苏颖，王琦)，长沙半导体工艺设备研究所 (陶仁敦，周楚材)，长沙半导体工艺设备研究所(刘日喜) |
| 摘 要： | 本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |