| 基于全硅工艺的硅谐振压力传感器设计与制备 |
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| 引用本文： | 李 亨,王淞立,赵 虎,申建武,黄嘉珊,张 龙.基于全硅工艺的硅谐振压力传感器设计与制备[J].测控技术,2022,41(9):127-132. |
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| 作者姓名： | 李 亨 王淞立 赵 虎 申建武 黄嘉珊 张 龙 |
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| 作者单位： | 西安思微传感科技有限公司 |
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| 摘 要： | 硅谐振压力传感器制备工艺包括硅-玻璃工艺和全硅工艺,采用硅-玻璃工艺时,硅材料和玻璃材料热膨胀系数存在差异,会产生热应力。为解决硅材料和玻璃材料热膨胀系数不匹配而产生的热应力,设计一种基于全硅工艺的硅谐振压力传感器。该设计采用全硅工艺制备,其中电极层和敏感膜层集成于一体,密封层实现真空键合,在消除热应力的同时可减小黏接剂带来的应力干扰。采用全硅工艺制备的硅谐振压力传感器能够克服各种应力干扰,使传感器迟滞、重复性等指标得到改善,进而提升综合精度、长期稳定性等指标。全硅工艺还可改善传感器温度系数,可提升传感器温度跟随性指标。传感器最终测试结果显示,其综合精度优于±0.01%F.S.,其余指标如温度系数、迟滞、重复性等均优于基于硅-玻璃工艺的同类产品。
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| 关 键 词： | 硅谐振压力传感器 全硅 热应力 温度系数 迟滞 设计与制备 |
Design and Manufacture of Silicon Resonant Pressure Sensor Based on All Silicon Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon resonant pressure sensor all silicon thermal stress temperature coefficient hysteresis design and manufacture |
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