AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关 |
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引用本文: | 章军云,齐志央,凌志健,尹志军,王溯源,李信,王学鹏,陈堂胜.AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关[J].固体电子学研究与进展,2022(5):357-362. |
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作者姓名: | 章军云 齐志央 凌志健 尹志军 王溯源 李信 王学鹏 陈堂胜 |
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作者单位: | 1. 南京电子器件研究所;2. 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
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摘 要: | 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。
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关 键 词: | 铝镓砷 砷化镓 异质结 PIN二极管 毫米波 单刀三掷开关 |
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