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AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
引用本文:章军云,齐志央,凌志健,尹志军,王溯源,李信,王学鹏,陈堂胜.AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关[J].固体电子学研究与进展,2022(5):357-362.
作者姓名:章军云  齐志央  凌志健  尹志军  王溯源  李信  王学鹏  陈堂胜
作者单位:1. 南京电子器件研究所;2. 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
摘    要:研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。

关 键 词:铝镓砷  砷化镓  异质结  PIN二极管  毫米波  单刀三掷开关
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