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| 基于10 kHz应用的高频晶闸管研制 | |
| 引用本文： | 贺振卿,贺书航,银登杰,操国宏.基于10 kHz应用的高频晶闸管研制[J].电力电子技术,2022(7):135-137. |
| 作者姓名： | 贺振卿 贺书航 银登杰 操国宏 |
| 作者单位： | 2. 新型功率半导体国家重点实验室;3. 湖南工程学院 |
| 摘 要： | 此处基于高频晶闸管的工作特点,从工艺及结构设计、硅片及扩散参数设计和光刻版图设计3个方面进行设计思考,确定了:高频晶闸管所采用的扩散工艺和与工艺相对应的杂质浓度分布;高频晶闸管所选用的硅片参数和扩散参数;通过对高频晶闸管开通特性的分析、仿真,设计了高频晶闸管阴极光刻版图。所研制出的3英寸高频晶闸管的工作频率达到了10 kHz。 |
| 关 键 词： | 高频晶闸管 频率 扩散 |