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用热蒸发法制备CdS纳米带
引用本文:刘春霞,严文,范新会,刘建刚. 用热蒸发法制备CdS纳米带[J]. 材料科学与工程学报, 2005, 23(1): 102-104
作者姓名:刘春霞  严文  范新会  刘建刚
作者单位:西安工业学院材料与化工学院,陕西,西安,710032;西安工业学院材料与化工学院,陕西,西安,710032;西安工业学院材料与化工学院,陕西,西安,710032;西安工业学院材料与化工学院,陕西,西安,710032
基金项目:教育部优秀青年教师奖励计划资助项目,陕西省自然科学基金 2 0 0 1C56,省教育厅自然科学专项,省纳米材料重点实验室纳米专项资助项目 .
摘    要:在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。

关 键 词:物理热蒸发法  外加电场  硫化镉纳米带
文章编号:1004-793X(2005)01-0102-03
修稿时间:2004-04-15

Manufacture of CdS Nano-ribbons by Thermal Evaporation
LIU Chun-xia,YAN Wen,FAN Xin-hui,LIU Jian-gang. Manufacture of CdS Nano-ribbons by Thermal Evaporation[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2005, 23(1): 102-104
Authors:LIU Chun-xia  YAN Wen  FAN Xin-hui  LIU Jian-gang
Abstract:
Keywords:physical evaporation  electrical field  CdS nano-ribbons  
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