| 采用石墨电极制备多孔硅工艺研究 |
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| 引用本文： | 李进,庞骏敏,高忙忙,梁森,王晓芳,薛子文.采用石墨电极制备多孔硅工艺研究[J].硅酸盐通报,2013,32(7):1394-1396. |
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| 作者姓名： | 李进 庞骏敏 高忙忙 梁森 王晓芳 薛子文 |
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| 作者单位： | 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021 |
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| 基金项目： | 宁夏自治区2012科技支撑计划项目 |
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| 摘 要： | 采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65％(质量分数wt％,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构.实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590nm、489.954nm.
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| 关 键 词： | 石墨电极 多孔硅 轮廓均方根偏差 颗粒平均直径 电化学方法 碳原子剥离 |
Study on Porous Silicon Prepared by Using Graphite Electrode |
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| LI Jin,PANG Jun-min,GAO Mang-mang,LIANG Sen,WANG Xiao-fang,XUE Zi-wen.Study on Porous Silicon Prepared by Using Graphite Electrode[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2013,32(7):1394-1396. |
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| Authors: | LI Jin PANG Jun-min GAO Mang-mang LIANG Sen WANG Xiao-fang XUE Zi-wen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphite electrode porous silicon contour root-mean-square deviation electrochemical methods peel of carbon atoms |
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