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氨热法生长氮化镓体单晶的工艺与设备
引用本文:周海涛,李东平,何小玲,张昌龙.氨热法生长氮化镓体单晶的工艺与设备[J].硅酸盐通报,2013,32(10):2046-2050.
作者姓名:周海涛  李东平  何小玲  张昌龙
作者单位:中国有色桂林矿产地质研究院有限公司广西超硬材料重点实验室,国家特种矿物材料工程技术研究中心,桂林541004
基金项目:广西自然科学基金重点基金(桂科自0991005Z)
摘    要:由于大尺寸氮化镓单晶难以获得,只能用异质衬底来制作氮化镓器件,因此现在的氮化镓基器件的性能指标还远低于其理论值.氢化物外延法、高压熔体法、助熔剂法和氨热法等许多方法已经用做生长氮化镓大尺寸单晶.其中,氨热法易于实现尺寸扩大,有批量化生产低成本氮化镓晶片的潜力.目前有两个问题仍有待解决.首先是设备,如何增大高压釜口径为液氨溶液提供可靠的设备;第二个是生长工艺,如何以较低的成本得到大面积,低缺陷密度的氮化镓.本文简单综述了氨热法生长大尺寸氮化镓晶体进展.主要内容是关注氨热法的设备和生长工艺.最后探讨了氨热法合成氮化镓单晶的发展前景.

关 键 词:氨热法  氮化镓  工艺  设备  

Process and Equipment of Gallium Nitride Single Crystal Growth with Ammonothermal Method
ZHOU Hai-tao,LI Dong-ping,HE Xiao-ling,ZHANG Chang-long.Process and Equipment of Gallium Nitride Single Crystal Growth with Ammonothermal Method[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2013,32(10):2046-2050.
Authors:ZHOU Hai-tao  LI Dong-ping  HE Xiao-ling  ZHANG Chang-long
Abstract:
Keywords:ammonothermal method  GaN crystal  processes  equipment  
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