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| 碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析 | |
| 作者姓名： | 闫征 武红磊 郑瑞生 |
| 作者单位： | 深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳518060 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目(61136001);国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB635115) |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理.在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低；当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度.分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体. |
| 关 键 词： | AlN 第一性原理 共掺杂 电子结构, |
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