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| a-Si∶H肖特基结特性的研究 | |
| 引用本文： | 孙钟林,李长键,胡景康,徐温元.a-Si∶H肖特基结特性的研究[J].贵金属,1981(4). |
| 作者姓名： | 孙钟林 李长键 胡景康 徐温元 |
| 作者单位： | 南开大学物理系，南开大学物理系，南开大学物理系，南开大学物理系 |
| 摘 要： | 文章从低成本a-Si肖特基电池材料着眼,研究了Au和Ni与辉光放电法制备的非晶态硅所形成的肖特基结特性,即接触势垒的高度?n;二极管的I-V曲线和品质因子. 出于以下目的分别测量经不同表面处理的势垒高度.N等离子体处理竞在生成一层薄的氮化硅膜;H等离子处理则希望进一步饱和硅的悬挂键;氧气下贮存则是模拟在实际形成肖特基结时难以避免的表面氧化过程.其结果如下表所示. |
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