| 基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计 |
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| 引用本文： | 李二亮,张立军,李有忠,张其笑,姜伟,胡玉青.基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计[J].电子设计工程,2015(9). |
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| 作者姓名： | 李二亮 张立军 李有忠 张其笑 姜伟 胡玉青 |
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| 作者单位： | 苏州大学 城市轨道交通学院,江苏 苏州,215000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在传统静态随机存储器（SRAM）读操作跟踪电路中，生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此，在本文中，我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法，设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路，通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下，对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流，从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响，提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺，对上述读操作跟踪电路进行了仿真，并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较，仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
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| 关 键 词： | 静态随机存取存储器 工艺拐点补偿 温度补偿 读操作跟踪电路 蒙特卡罗 |
SRAM read tracking circuit design based on compensation circuit |
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| LI Er-liang,ZHANG Li-jun,LI You-zhong,ZHANG Qi-xiao,JIANG Wei,HU Yu-qing.SRAM read tracking circuit design based on compensation circuit[J].Electronic Design Engineering,2015(9). |
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| Authors: | LI Er-liang ZHANG Li-jun LI You-zhong ZHANG Qi-xiao JIANG Wei HU Yu-qing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM corner compensation temperature compensation read tracking circuit monte carlo |
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