|
|||||
|
|
| 软误差与特征尺寸的关系 | |
| 引用本文： | J.C.Brucker,王季茂.软误差与特征尺寸的关系[J].微电子学,1986(Z1). |
| 作者姓名： | J.C.Brucker 王季茂 |
| 作者单位： | RCA公司 |
| 摘 要： | 本文报道了为确定CMOS/SOS辐照加固16K存储器中临界电荷Q_c与特征尺寸(沟道长度L)的依赖关系所作的实验尝试。单击事件扰动(SEU)实验是在加州大学伯克利分校的伯克利88英寸回旋加速器上分别使用138MeV的氪离子和85MeV的氩离子进行的。两种离子的LET值(线性能量传输)为40和18.3MeV—cm~2/mg。随后的第二次实验是在奥克里季大学的范德格拉夫直线加速器上进行的。LET值为88MeV—cm~2/mg的591MeV金离子用于试验从伯克利大学实验的同一组中所取的样品。结果表明:Q_cαL~(1.6±0.2) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |