加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果 |
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引用本文: | 刘荣寰,刘忠立.加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果[J].核电子学与探测技术,1992,12(2):114-119. |
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作者姓名: | 刘荣寰 刘忠立 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,100083,北京,100083,北京,100083,北京,100083,北京,100083 |
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摘 要: | 本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。
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关 键 词: | MOS/SOS 集成电路 瞬态辐照 加固 |
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