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加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果
引用本文:刘荣寰,刘忠立.加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果[J].核电子学与探测技术,1992,12(2):114-119.
作者姓名:刘荣寰  刘忠立
作者单位:中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,100083,北京,100083,北京,100083,北京,100083,北京,100083
摘    要:本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。

关 键 词:MOS/SOS  集成电路  瞬态辐照  加固
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