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分类号
杂志ISSN号
TFT有源矩阵α-Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究
作者姓名:
丁晖
徐重阳
邹雪城
张少强
戴永兵
袁奇燕
万新恒
摘 要:
分析了α-Si∶H薄膜的质量和厚度对α-Si∶HTFT关键性指标的影响,深入、详细地讨论了其PECVD淀积工艺,并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数,从而获得了高性能的75mm372×276像素α-Si∶HTFT有源矩阵
关 键 词:
PECVD
α-Si∶H
TFT
有源矩阵
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