首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

用CVD法在(100)Si衬底上沉积Si1—x—yGexCy膜
引用本文:青春.用CVD法在(100)Si衬底上沉积Si1—x—yGexCy膜[J].电子材料快报,1995(7):10-11.
作者姓名:青春
摘    要:

关 键 词:CVD法  Si衬底  SiGeC薄膜  金刚石薄膜
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号