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电磁阴极磁场分布对磁控溅射系统伏安特性的影响
引用本文:惠迎雪,樊慧庆,弥谦,孙国斌,王稳奇. 电磁阴极磁场分布对磁控溅射系统伏安特性的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2009, 29(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.05.04
作者姓名:惠迎雪  樊慧庆  弥谦  孙国斌  王稳奇
作者单位:1. 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072
2. 西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072
3. 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032
基金项目:国家自然科学基金资助项目,陕西省教育厅资助项目 
摘    要:本文设计了一种新型圆形平面阴极磁控溅射源.该源具有独特的三极线圈结构,改变各线圈励磁电流可调节靶面磁场强度的大小和分布.通过对系统气体放电伏安特性随各线圈励磁电流大小变化规律的分析,以及对距靶面60mm基片台处等离子体束流密度大小和分布的测试,探讨了阴极磁场分布对磁控溅射系统伏安特性的影响.实验结果表明阴极磁场分布模式对气体放电稳定性和等离子体分布影响显著,当阴极磁场呈现收敛型分布时,二次电子被紧密束缚在靶面附近,降低了基片台附近等离子体束流密度,却增大等离子体束流径向分布均匀性.调节非平衡线圈励磁电流,在附加磁场的作用下,阴极磁场呈现发散型分布,二次电子被引向基片台附近,使得基片台附近等离子体束流密度显著增加但径向均匀性变差.

关 键 词:磁控溅射  磁场分布  等离子体  非平衡磁控溅射

Magnetic Field Distribution and I-V Characteristics of Newly-Developed Magnetron Sputtering Cathode
Xi Yingxue,Fan Huiqing,Mi Qian,Sun Guobin,Wang Wengqi. Magnetic Field Distribution and I-V Characteristics of Newly-Developed Magnetron Sputtering Cathode[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2009, 29(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.05.04
Authors:Xi Yingxue  Fan Huiqing  Mi Qian  Sun Guobin  Wang Wengqi
Abstract:
Keywords:
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