|
|||||
|
|
| 高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响 | |
| 作者姓名： | 张仿清 张南屏 余光明 汤训虎 陈光华 |
| 摘 要： | 对GDa-Si_xC_(1-x):H膜进行高温退火,当退火温度在550℃附近时晶化开始,随退火温度升高晶粒尺寸和晶化范围增大.晶化后的a-Si_xC_(1-x):H膜光吸收系数、光学带隙和电导激活能下降,室温电导率增加. |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |