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| 注入衰降引起的硅／二氧化硅／金属系统的电物理参数变化 | |
| 摘 要： | 注入衰降引起的硅／二氧化硅／金属系统的电物理参数变化＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－２０～２６从硅中向二氧化硅膜中注入载流子电荷，伴随有金属－介质－半导体结构衰降，根据注入到二氧化硅层中载流子数量而逐渐发生。在注入过程中，二氧化硅层中和硅二氧... |
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