320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 |
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作者姓名: | 史衍丽 |
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作者单位: | 昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心,云南,昆明,650215 |
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摘 要: | 采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30 μm,像元光敏面28 μm×28 μm,两像元间距2 μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。
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关 键 词: | 320×256 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率 |
文章编号: | 1007-2276(2008)01-0042-03 |
收稿时间: | 2007-04-10 |
修稿时间: | 2007-04-10 |
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