磷化铟合成

用直接反应工艺合成了一批磷化铟多晶锭。磷化铟是在不同的磷压下(3～30atm)生长的。用了几种不同的温度分布以研究温度对迁移率、载流子浓度、晶粒度、均匀性和化学配比的影响。用的是石英和热解氮化硼舟。有几个实验是把 PBN 和石英舟放到氮化硼和氧化铝管里完成的,其目的是降低硅沾污。对原材料铟在原位进行真空烘焙,显著地改善了合成 InP 的纯度。