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| In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光全息存储性能的研究 | |
| 引用本文： | 符运良.In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光全息存储性能的研究[J].半导体光电,2012(1). |
| 作者姓名： | 符运良 |
| 作者单位： | 海南师范大学物理与电子工程学院; |
| 基金项目： | 海南省自然科学基金资助项目(609002) |
| 摘 要： | 采用提拉法生长了In:Fe:Cu:LiNbO3晶体,测试了晶体的紫外可见光谱、红外吸收光谱。利用二波耦合方法测试了晶体的响应时间、最大衍射效率、计算晶体的光折变灵敏度。结果表明,随In3+离子浓度的增加,在In3+浓度较低时,In:Fe:Cu:LiNbO3晶体紫外可见光吸收边发生紫移,而红外吸收峰3 482cm-1位置基本不变,但浓度达到阈值时,紫外可见光吸收边相对于低浓度发生红移,而红外吸收峰向高波数方向移动;In3+浓度增加时,响应时间变短,最大衍射效率下降,晶体存储灵敏度提高。 |
| 关 键 词： | In Fe Cu LiNbO晶体 吸收光谱 全息存储 |
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