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| 提高膜盒式真空继电器性能的工艺措施 | |
| 引用本文： | 关奎芝,姜增奎,孙广生,汪雪云.提高膜盒式真空继电器性能的工艺措施[J].真空,1981(3). |
| 作者姓名： | 关奎芝 姜增奎 孙广生 汪雪云 |
| 作者单位： | 东北工学院 (关奎芝，姜增奎，孙广生)，东北工学院(汪雪云) |
| 摘 要： | 膜盒式真空继电器由膜盒规头和电气控制线路两部分组成。膜盒规头将气压信号转变为电信号,线路则利用该电信号对负载进行控制或保护。 膜盒式真空继电器的性能,主要决定于股盒规头的性能。膜盒规头的结构如图1所示:膜盒6内气体的初始压强P0很小(20℃时不大于5×10-1托),规头内气体压强为P,则膜盒承受的压强P盒=P-P0。在P盒的作用下,膜盒刚性中心弹性变形量为2W0,二者的函数关系为(1)式:P=760×(0.0432W0+0.0352W03) +P0托 (1)即膜盒规头中气体压强P可用膜盒变形量W0来表征。 由于压强P的变化,引起动触点9与静触点10的接触状态改变,导… |
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