| 添加铋的氧化钆掺氧化铈对电子导电率影响 |
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| 引用本文： | 傅彦培,林正雄,曾建玮. 添加铋的氧化钆掺氧化铈对电子导电率影响[J]. 武汉理工大学学报, 2007, 29(10): 186-190 |
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| 作者姓名： | 傅彦培 林正雄 曾建玮 |
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| 作者单位： | 1. 东华大学材料科学与工程系,花莲,97401
2. 吴凤技术学院光机电暨材料研究所,嘉义,621 |
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| 基金项目： | NSC95-2221-E-259-023 |
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| 摘 要： | 利用共沉法制备的Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9,对于其结构、热膨胀和离子导电率进行研究。Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9在1 350—1 450℃范围内持温6 h进行烧结,Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9块材密度皆高于95%理论密度,可发现Ce0.8(Gd0.5Bi0.5)0.2O1.9有最大的离子导电率σ800℃=0.078 S/cm且有最小的活化能Ea=0.638 eV。以共沉法制备添加铋的氧化钆掺杂氧化铈可降低烧结温度。Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9的热膨胀系数分布在(20.132—20.478)×10-6/℃之间。致密的Ce0.8(Gd1-xBix)0.2O1.9其破裂韧性在1.28—2.60 MPa.m1/2之间,且破裂韧性的值会随着铋的含量增加而提高。说明藉由添加铋可改善氧化钆掺杂氧化铈的机械性质。
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| 关 键 词： | 机械性质 固态氧化物燃料电池 离子导电率 |
| 文章编号： | 1671-4431（2007）10-0186-05 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
Effect of Bismuth Addition on the Electrical Conductivity of Gadolinium-doped Ceria Ceramics |
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| FU Yan-pei,LIN Zheng-xiong,ZENG Jian-wei. Effect of Bismuth Addition on the Electrical Conductivity of Gadolinium-doped Ceria Ceramics[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2007, 29(10): 186-190 |
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| Authors: | FU Yan-pei LIN Zheng-xiong ZENG Jian-wei |
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| Affiliation: | 1. Department of Materials Science and Engineering, National Dong-hwa University, Shou-feng, Hualien 974, China; 2. Department of Graduate School of Optomechatronic and Materials, Wu-feng Institute of Technology, Ming-hsiung, Chiayi 621, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CeO2 |
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