| 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究 |
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| 引用本文： | 黄大定,姚振钰,壬治璋,王向明,刘志凯,秦复光.质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究[J].半导体学报,1993,14(8):509-512. |
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| 作者姓名： | 黄大定 姚振钰 壬治璋 王向明 刘志凯 秦复光 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所、半导体材料科学实验室 北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
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| 关 键 词： | 硅单晶 低能电子束 质量分离 |
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