| 一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路 |
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| 引用本文： | 张辉, 陈晓娟, 刘果果, 曾轩, 袁婷婷, 陈中子, 王亮, 刘新宇. 一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路[J]. 电子器件, 2009, 32(1) |
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| 作者姓名： | 张辉 陈晓娟 刘果果 曾轩 袁婷婷 陈中子 王亮 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，中国科学院重点创新工程项目 |
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| 摘 要： | 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试.该电路包含了1个10×100 μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路.在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器 |
8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier |
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| ZHANG Hui,CHEN Xiao-juan,LIU Guo-guo,ZENG Xuan,YUAN Ting-ting,CHEN Zhong-zi,WANG Liang,LIU Xing-yu. 8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2009, 32(1) |
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| Authors: | ZHANG Hui CHEN Xiao-juan LIU Guo-guo ZENG Xuan YUAN Ting-ting CHEN Zhong-zi WANG Liang LIU Xing-yu |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences;Beijing 100029;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT |
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