首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应
作者姓名:高剑侠 郑立荣
作者单位:中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海原子核研究所
基金项目:国家“863”新材料领域项目
摘    要:研究了辐照积累剂量对PZT铁电电容的电滞回线和C-V特性的影响,结果表明,在积累剂量辐照过程中,由于辐照感生缺陷的影响,剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论,提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。

关 键 词:铁电 辐照 剩余极化 介电常数 矫顽场
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号