Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应 |
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作者姓名: | 高剑侠 郑立荣 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海原子核研究所 |
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基金项目: | 国家“863”新材料领域项目 |
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摘 要: | 研究了辐照积累剂量对PZT铁电电容的电滞回线和C-V特性的影响,结果表明,在积累剂量辐照过程中,由于辐照感生缺陷的影响,剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论,提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。
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关 键 词: | 铁电 辐照 剩余极化 介电常数 矫顽场 |
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