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| 廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况 | |
| 引用本文： | 袁明文.廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况[J].半导体技术,1992(3). |
| 作者姓名： | 袁明文 |
| 作者单位： | 机电部十三所 石家庄 |
| 摘 要： | 1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此, |
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