首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构
引用本文:杜开瑛,石瑞英,谢茂浓,廖伟,张敏.直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构[J].半导体光电,1999,20(6):405-408.
作者姓名:杜开瑛  石瑞英  谢茂浓  廖伟  张敏
作者单位:四川大学,物理系,成都,610064
基金项目:国家自然科学基金;69676007;
摘    要:以微波激励氙(Xe) 发射的真空紫外光(VUV) 作光源,乙炔(C2H2) 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积(CVD) 工艺,在硅(Si) 、钼( Mo) 及玻璃衬底上,120 ℃的低温下进行了类金刚石碳(DLC) 膜的试生长。用X 射线光电子能谱(XPS) 、扫描电子显微镜(SEM) 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成DLC 膜。其中C1s 态原子的含量在69 .98 % ~74 .60 % 之间,相应的键合能为285 .0 ~285 .6 eV。淀积膜是以SP2 键结构为主的DLC膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。

关 键 词:类金刚石膜  光化学汽相淀积  X射线光电子能谱  扫描电子显微镜

The structure of initial DLC films prepared by direct photo chemical vapor deposition technique
DU Kai-ying,SHI Rui-ying,XIE Mao-nong,LIAO Wei,ZHANG Min.The structure of initial DLC films prepared by direct photo chemical vapor deposition technique[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(6):405-408.
Authors:DU Kai-ying  SHI Rui-ying  XIE Mao-nong  LIAO Wei  ZHANG Min
Abstract:
Keywords:DLC films  photo chemical vapor deposition  X-ray photoelectron spectroscope  scanning electron microscope
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号