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电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术
引用本文:张佐兰. 电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术[J]. 材料研究学报, 1990, 4(6): 530-533
作者姓名:张佐兰
作者单位:东南大学
摘    要:本文介绍高精度控制 Si 膜厚度的电化学腐蚀自停止新技术。讨论光照和电极欧姆接触等对腐蚀特性的影响,以及所得 Si 膜的质量。

关 键 词:电化学腐蚀  腐蚀自停止  薄膜  sol材料
收稿时间:1990-12-25
修稿时间:1990-12-25

NOVEL TECHNIQUE OF PROCESSING SILICON MEMBRANE FOR ELECTROCHEMICAL ETCH-STOP
ZHANG Zuolan. NOVEL TECHNIQUE OF PROCESSING SILICON MEMBRANE FOR ELECTROCHEMICAL ETCH-STOP[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1990, 4(6): 530-533
Authors:ZHANG Zuolan
Affiliation:Southeast University
Abstract:Novel technique of electrochemical etch-stop for high-precision thicknesscontrol of silicon membrane was presented in this paper.The influences of light irradiationand ohm contact of electrode on etch characterization were discussed.Quality of the siliconmembranes were reported.
Keywords:electrochemical etch  etch-stop  membrane  sol material
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