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半导体激光器近场、远场的显示和测量
作者姓名:陈莲勇  肖宗耀  忻惠芳
作者单位:中国科学院上海冶金研究所(陈莲勇,肖宗耀),中国科学院上海冶金研究所(忻惠芳)
摘    要:一、引言半导体激光器是当前光纤通信、光盘记录等领域中的关键性器件,而半导体激光器质量的优劣是多种参数决定的,其中发光近埸是一个重要参数。通过对激光器发光近埸的测最可以得到有源区均匀性,发光位置和电流扩展等信息。如果把发光近埸和光谱对应地进行测试,可以了解模式随电流的变化情况。

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