| 内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究 |
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| 引用本文： | 王同喜,郭霞,关宝璐,沈光地.内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究[J].中国激光,2009,36(5). |
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| 作者姓名： | 王同喜 郭霞 关宝璐 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划)，霍英东青年教师基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部新世纪优秀人才支持计划，北京市青年骨干教师培养计划项目，北京工业大学研究生科技基金 |
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| 摘 要： | 建立了一种适用于多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型.在理论与实验基础上,对器件进行小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响.结果表明VCSEL调制带宽会随着输出功率增大而变宽.并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEL的寄生电参数及其寄生电路,对其小信号频率响应进行了模拟分析.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 调制特性 速率方程 寄生参数 |
Study on the Small Signal Modulation Characteristic of Internal-Contact Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers |
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| Wang Tongxi,Guo Xia,Guan Baolu,Shen Guangdi.Study on the Small Signal Modulation Characteristic of Internal-Contact Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2009,36(5). |
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| Authors: | Wang Tongxi Guo Xia Guan Baolu Shen Guangdi |
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