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| 共溅射法制备ITO:Zr薄膜及其特性研究 | |
| 引用本文： | 张波,董显平,徐晓峰,赵培,吴建生.共溅射法制备ITO:Zr薄膜及其特性研究[J].光电子．激光,2008,19(6):776-780. |
| 作者姓名： | 张波 董显平 徐晓峰 赵培 吴建生 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,教育部高温材料及测试重点实验室,上海200030 2. 东华大学理学院,上海,200051 3. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展基金 |
| 摘 要： | 采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO:Zr薄膜,研究了衬底温度、氧流量对ITO:Zr薄膜性能的影响.表征和对比了ITO:Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化ITO:Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能,衬底温度的提高显著改善了薄膜光电性能;一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能,但过量的氧却使得ITO:Zr薄膜的光性能变差.透射谱表明各参数的变化引起了明显的"Burstin Moss"效应.当优化溅射条件为工作气压0.5Pa、氧流量0.3 sccm、直流溅射功率45 W(ITO靶)和射频功率10 W(Z靶)、沉积速率8 nm/min和一定的衬底温度时,可以获得方阻10～20 Ω/sq和可见光透过率85%(含基底)以上的ITO:Zr薄膜. |
| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 衬底温度 氧流量 |
| 文章编号： | 1005-0086(2008)06-0776-05 |
| 修稿时间： | 2007年4月19日 |
Preparation and characteristics of ITO:Zr thin films deposited by co sputtering |
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| ZHANG Bo,DONG Xian-ping,XU Xiao-feng,ZHAO Pei,WU Jian-sheng.Preparation and characteristics of ITO:Zr thin films deposited by co sputtering[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(6):776-780. | |
| Authors: | ZHANG Bo DONG Xian-ping XU Xiao-feng ZHAO Pei WU Jian-sheng |
| Affiliation: | ZHANG Bo1,DONG Xian-ping1,XU Xiao-feng2,ZHAO Pei3,WU Jian-sheng1(1.Key Laboratory for High Temperature Materials , Tests of Ministry of Education,School of Materials Science , Engineering,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200040,China,2.College of Science,Donghua University,Shanghai 200051,3.Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,Shanghai 200083,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | ITO films magnetron sputtering substrate temperature oxygen flow rate |
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