氮化硅膜的等离子淀积工艺

一、引言 等离子氮化硅膜已成功地用于双极和LSI MOS器件的钝化。 在半导体器件制造过程中,必须控制表面沾污。通常是采用钝化膜防止杂质渗入。钝化膜又分为,一次钝化和二次钝化。一次钝化的目的是控制和稳定半导体器件表面的电性能。硅器件的一次钝化膜通常是SiO_2,例如,加HCl热生长SiO_2成功地控制了钠离子。二次钝化层在氧化层金属化的互连及端点上提供化学、机械保护,阻挡可动离子和水蒸汽渗入;防止后工序划伤铝布线。因而可以提高可靠性和成品率。二次钝化也叫最后钝化膜,它必须满足以下要求: (1) 材料本身必须是一种优良的介质膜。热和化学稳定性好、针孔少、绝缘性能好、硬度大,对器件能提供化学和机械上的保护。