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半导体器件参数退化失效分析
引用本文:徐爱斌,郑廷圭.半导体器件参数退化失效分析[J].电子产品可靠性与环境试验,1996(4):38-42.
作者姓名:徐爱斌  郑廷圭
作者单位:电子部五所,电子部五所 高级工程师 广州510610,高级工程师 广州510610
摘    要:1 前言电参数漂移、超差或退化是半导体器件常见的失效模式。这类失效会导致产品合格率不高;使得成品器件档次下降;更严重的是还会影响整机的寿命和可靠性.引起这类失效的原因很多,如材料缺陷,生产工艺欠佳,使用条件、环境所致等等.但要对参漂或退化的器件进行分析时,由于这类失效的原因复杂,失效部位难寻,不像分析致命失效那样较直观,往往不易找到其失效原因。因此,如何准确确定这类失效器件的失效原因,是半导体器件生产厂家和用户长期以来乃至今依然十分关注的问题.本文通过两种型号晶体管的失效分析实例,介绍了对半导体器件参数退化失效原因的诊断分析方法。

关 键 词:半导体器件  参数退化  失效  可靠性
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