| 使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极 |
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| 引用本文： | 刘翔,陈旭,谢振宇,高浩然,王威.使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极[J].液晶与显示,2009,24(4). |
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| 作者姓名： | 刘翔 陈旭 谢振宇 高浩然 王威 |
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| 作者单位： | 北京京东方光电科技有限公司,北京,100176 |
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| 摘 要： | 金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素.研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能.通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生.
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 铝 腐蚀 刻蚀 |
Low Resistant Metal for Thin Film Transistors |
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| LIU Xiang,CHEN Xu,XIE Zhen-yu,GAO Hao-ran,WANG Wei.Low Resistant Metal for Thin Film Transistors[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(4). |
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| Authors: | LIU Xiang CHEN Xu XIE Zhen-yu GAO Hao-ran WANG Wei |
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