| 砷注入硅快速热退火缺陷的HVEM观察 |
| |
| 引用本文： | 李永洪,袁建明,徐立,钱佩信,李志坚.砷注入硅快速热退火缺陷的HVEM观察[J].电子显微学报,1988(3). |
| |
| 作者姓名： | 李永洪 袁建明 徐立 钱佩信 李志坚 |
| |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院，北京有色金属研究总院，清华大学微电子研究所，清华大学微电子研究所，清华大学微电子研究所 |
| |
| 摘 要： | 随着集成度的提高,要求芯片的线条进一步缩小,但根据按比例缩小原则,纵向尺寸也必须减小。因此VLSI要求p—n结的结深越来越浅。离子注S和快速热退火为制备这种高浓度浅p—n结提供了一种要求的手段。当然离子注入产生的辐照缺陷及其在退火过程中的行为就自然受到人们的注意。由于砷在硅中固溶度较高、扩散系数小,离子注入的平均投影射程小等一系列特点,在制备高浓度、浅N+P结方面引起了相当的重视。本文研究了砷注入硅快速热退火后缺陷的特性。即砷注入硅后经不同温度不同时间退火后的缺陷。所用的试样为6—8ΩcmP—型<100>硅片,经室温120kev砷离子注入,剂量为1×10~(16)cm~(-2),分别在900℃、1000℃、1080℃和1150℃不同时间红外退火。並利用霍尔效应和剥层技术测定载流子浓度分布,
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
