| 4H-SiC MESFET结构外延生长技术 |
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| 引用本文： | 李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰.4H-SiC MESFET结构外延生长技术[J].半导体学报,2007,28(Z1):379-381. |
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| 作者姓名： | 李哲洋 董逊 柏松 陈刚 陈堂胜 陈辰 |
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| 作者单位： | 李哲洋（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;董逊（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;柏松（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;陈刚（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;陈堂胜（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;陈辰（南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016） |
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| 摘 要： | 利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.
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| 关 键 词： | 4H-SiC MESFET SEM SIMS 汞探针C-V |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0379-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月10 |
Epitaxial Growth of 4H-SiC MESFET Structures |
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| Li Zheyang,Dong Xun,Bai Song,Chen Gang,Chen Tangsheng,Chen Chen.Epitaxial Growth of 4H-SiC MESFET Structures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):379-381. |
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| Authors: | Li Zheyang Dong Xun Bai Song Chen Gang Chen Tangsheng Chen Chen |
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