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MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究
引用本文:徐步衡,薛俊明,赵颖,张晓丹,魏长春,孙建,刘芳芳,何青,侯国付,任慧志,张德坤,耿新华. MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究[J]. 光电子.激光, 2005, 16(5): 515-518
作者姓名:徐步衡  薛俊明  赵颖  张晓丹  魏长春  孙建  刘芳芳  何青  侯国付  任慧志  张德坤  耿新华
作者单位:南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
基金项目:国家“973”重点基础研究资助项目( G2000028202,G2000028203 ),教育部重点资助项目( 02167 ),国家合作资助项目(2002DFG00051,023100711),天津市自然科学基金资助项目(043604911)
摘    要:利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。

关 键 词:金属有机物化学气相沉积(MOCVD)  ZnO  B2H6
文章编号:1005-0086(2005)05-0515-04

Research on ZnO Thin Films Prepared by MOCVD for Solar Cells
XU Bu-heng. Research on ZnO Thin Films Prepared by MOCVD for Solar Cells[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2005, 16(5): 515-518
Authors:XU Bu-heng
Affiliation:XU Bu-heng~
Abstract:
Keywords:metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)  ZnO  B_2H_6 doping  
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