| 继电器触点接触电阻偏大的失效机理研究 |
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| 引用本文： | 李继伟,施明哲,刘子莲. 继电器触点接触电阻偏大的失效机理研究[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2009, 27(Z1) |
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| 作者姓名： | 李继伟 施明哲 刘子莲 |
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| 作者单位： | 工业与信息化部电子第五研究所,广州,510610 |
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| 摘 要： | 本文用试验的方法研究了继电器触点接触电阻增大的失效机理.试验中分别用扫描电镜和X射线能谱仪观察失效样和正常样的触点形貌并分析触点表面的元素成份,再用红外光谱仪验证了触点污染物的来源.根据试验的分析结果,讨论了触点失效的机理,并提出了改进的建议和可行的措施.本文对继电器失效的理论和模拟研究具有较大的参考价值,同时为改进触点材料和工艺制造过程提供试验依据.
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| 关 键 词： | 密封继电器 触点 接触电阻 失效 |
The Study of Failure Mechanism of Contact Resisitance Enhacement of Relay Contact |
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| Jiwei Li,Mingzhe Shi,Zilian Liu. The Study of Failure Mechanism of Contact Resisitance Enhacement of Relay Contact[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2009, 27(Z1) |
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| Authors: | Jiwei Li Mingzhe Shi Zilian Liu |
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