| 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 |
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| 引用本文： | 林桂江,赖虹凯,李成,陈松岩,余金中.太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计[J].半导体学报,2006,27(5):916-920. |
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| 作者姓名： | 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，厦门大学半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，厦门大学半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，厦门大学半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，厦门大学半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，厦门大学半导体光子学研究中心，厦门 361005;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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福建省青年科技人才创新基金 |
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| 摘 要： | 使用nextnano3模拟软件计算Si/Si1-xGex/Si量子阱的能带结构,对Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计,结果表明使用Ge组分为0.27～0.3,量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构,有利于优化THz Si/SiGe量子级联激光器结构.
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| 关 键 词： | Si/SiGe 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano3 太赫兹 SiGe 量子级联激光器 能带设计 Terahertz Design Band Energy 激光器结构 优化 异质结构 变级 对称 构成 垒宽 合金 量子阱宽度 组分 结果 有源区 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0916-05 |
| 收稿时间： | 08 19 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 10 17 2005 12:00AM |
Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser |
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| Lin Guijiang,Lai Hongkai,Li Cheng,Chen Songyan and Yu Jinzhong.Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5):916-920. |
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| Authors: | Lin Guijiang Lai Hongkai Li Cheng Chen Songyan and Yu Jinzhong |
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| Affiliation: | Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University,Xiamen 361005,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | The eigenenergies of confined states in Si/SiGe/Si quantum wells are calculated with nextnano3 software for the design of terahertz Si/SiGe QCLs.The results indicate that the structure of the Si/SiGe quantum cascade may be optimized by using a strain-symmetric heterostructure consisting of a Si_ 1-xGe_x(0.27
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| Keywords: | Si/SiGe quantum cascade laser intersubband interwell transitions nextnano3 |
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