| 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用 |
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| 引用本文： | 俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地.应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用[J].量子电子学报,2005,22(1):81-84. |
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| 作者姓名： | 俞波 盖红星 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，北京市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.
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| 关 键 词： | 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积 |
| 文章编号： | 1007-5461(2005)01-0081-04 |
| 收稿时间： | 2003/11/14 |
| 修稿时间： | 2003年11月14 |
Optimization of MOCVD-growth strain InGaAs/GaAs quantum wells and its application for 980 nm LD |
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| YU Bo,GAI Hong-xing,HAN Jun,DENG Jun,XING Yan-hui,LI Jian-jun,LIAN Peng,ZOU De-shu,SHEN Guang-di.Optimization of MOCVD-growth strain InGaAs/GaAs quantum wells and its application for 980 nm LD[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2005,22(1):81-84. |
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| Authors: | YU Bo GAI Hong-xing HAN Jun DENG Jun XING Yan-hui LI Jian-jun LIAN Peng ZOU De-shu SHEN Guang-di |
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| Abstract: | The strained InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) for 980 nm LD were grown by MOCVD. The effects of growth temperature and growth rate of InGaAs/GaAs QWs were investigated. We applied the optimized growth condition to 980 high power LD growth. Without coating, an optical power output of 100 mW, Ith of 19 mA, differential efficiency of 0.6 W/A were obtained. |
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| Keywords: | optoelectronics semiconductor lasers strain quantum wells metallorganic chemical vapor deposition |
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