用电子束激发刻蚀法在硅上直接绘制图形

本文实例说明了采用X_eF_2源的电子束诱发表面反应可在硅上直接描绘图形。Si(100)的电子束激发腐蚀深度与电子剂量成正比;在10kV加速电压、4×10~(-3)C/cm~2剂量和5mTorr气压条件下,电子束激发腐蚀的刻蚀深度为500nm;采用X_eF_2源的电子激发刻蚀具有极高的、大约每个电子腐蚀100个硅原子的刻蚀率。并己用4×10~(-3)C/cm~2剂量加工出0.5μm线宽的图形。