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| 采用有机源的金属层间膜的平坦化技术 | |
| 引用本文： | 金井史幸,陈学珍.采用有机源的金属层间膜的平坦化技术[J].微电子技术,1994,22(4):4-11. |
| 作者姓名： | 金井史幸 陈学珍 |
| 摘 要： | 一、前言随着器件的高集成化、高速化和高功能化，器件表面台阶越来越陡峭。特别是进入亚微米时代，由于微细化和高电流密度的要求，金属布线的纵横尺寸比明显增大。所以，在扩展光刻极限的同时，从提高产品成品率、可靠性上来说，平坦化技术是一项极为重要的技术课题。图1示出了具有代表性的金属层间平坦化技术动向及其存在的问题。以往，要求低温工艺的金属层间绝缘股平坦化技术一般是采用等离子氧化股P（等离子）－SiO2膜或P－TEOS膜等]与涂敷绝缘膜（SOG膜等）相结合的叠层结构，并在此结构上采用返腐蚀工艺或等离子氧化膜和抗蚀… |
| 关 键 词： | 光刻 有机源 金属层间膜 平坦化 |
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