| 双极型晶体管发射区物理参量的测定 |
| |
| 引用本文： | 冯耀兰 郑茳. 双极型晶体管发射区物理参量的测定[J]. 固体电子学研究与进展, 1990, 10(3): 283-287 |
| |
| 作者姓名： | 冯耀兰 郑茳 |
| |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 南京(郑茳，冯耀兰)，东南大学微电子中心 南京(魏同立) |
| |
| 摘 要： | 本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用.
|
| 关 键 词： | 双极型 晶体管 发射区 参量 测量 |
Determination of Physical Parameters in the Emitter of Bipolar Transistors |
| |
| Abstract: | A new method for determination of energy gap E8E0 and minority-carrier recombination lifetime TE in the heavily doped emitter is described. Using the temperature characteristics of the current gain HFE, the magnitude of E8E0 is obtained.The value of τE, is derived from the part of the reverse diffusion current in the emitter. Considering the heavily doping effect, the carrier Fermi-Dirac statistical distribution is employed. The method is simple and can be used properly. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
