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| 双电荷离子注入技术 | |
| 作者姓名： | 张义强 郑宜钧 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司!无锡，214035 |
| 摘 要： | 一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能… |
| 关 键 词： | 离子注入 集成电路 双电荷离子注入 |
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