| 6H-SiC肖特基二极管的特性研究 |
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| 引用本文： | 罗小蓉,李肇基,张波,龚敏.6H-SiC肖特基二极管的特性研究[J].微电子学,2004,34(1):38-40. |
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| 作者姓名： | 罗小蓉 李肇基 张波 龚敏 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,IC中心,四川,成都,610054
2. 四川大学,物理科学与技术学院,四川,成都,610064 |
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| 摘 要： | 采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态。首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻ρc=5～7×10-3Ω.cm2,理想因子n=1.20～1.25。同时,还制备了P型6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触采用950°C高温合金Al/SiC工艺获得,该样品衬底较大的串联电阻导致其正向压降偏高,理想因子较大。实验表明,BW法不仅能降低合金温度和工艺难度,而且能有效改善器件的电学特性。
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| 关 键 词： | 6H-SiC 肖特基二极管 碳化硅器件 界面态 欧姆接触 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)01-0038-03 |
A Study on the Characteristics of 6H-SiC Schottky Diodes |
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| LUO Xiao-rong,LI Zhao-ji,ZHANG Bo,GONG Min.A Study on the Characteristics of 6H-SiC Schottky Diodes[J].Microelectronics,2004,34(1):38-40. |
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| Authors: | LUO Xiao-rong LI Zhao-ji ZHANG Bo GONG Min |
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| Affiliation: | LUO Xiao-rong~1,LI Zhao-ji~1,ZHANG Bo~1,GONG Min~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Shottky diode SiC device Interface state Ohmic contact |
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